ファブの現場では、焼成温度が0.5℃変動するだけで、回路の寸法にナノメートル単位の誤差が生じ、何時間もかけて行われたリソグラフィー作業が台無しになってしまいます。中波赤外線ヒーターは、このような温度変動を未然に防ぐために使われます。
実際に重要なのは何か 中波赤外線ヒーターは、エネルギーを直接フォトレジストや基板に与えることができます。急速に温度を上昇させつつ、一定の温度を維持します。焼成ゾーン内でのウェーハ全体の温度均一性は±0.1℃以内に保たれ、負荷がかかっている時でも設定値の安定性は±0.2℃以内です。また、シリコンや一般的な薄膜に適した放射率が設定されているため、ソフトベイクやハードベイクの際に過剰な加熱が起こりません。
ヒーター本体はクリーンルーム環境に適しており、ISOクラス1～100に対応しています。表面やシール部分も特殊に設計されており、運転中に粒子が発生することがありません。熱履歴も再現性が高く、毎回同じ条件で処理が行われます。
なぜフォトレジスト処理に適しているのか ソフトベイクでは溶剤を除去し、薄膜の応力をコントロールします。ハードベイクでは接着力や耐エッチング性を高めます。中波赤外線ヒーターを使用すれば、これらの工程が厳格な温度範囲内で行われるため、回路の幅のばらつきが減少し、温度による欠陥も発生しません。
その結果、再加工の必要が減り、初回の歩留まりが向上し、回路の寸法精度も確実に保たれます。加熱が目的別に行われるため、エネルギーの消費も抑えられ、24時間365日の稼働でも信頼性が保たれます。
設置時に注意すべき点 設置時には、正確な光学的位置合わせと、安定した電力供給が不可欠です。電圧やコネクタの仕様も、装置本体に合致していなければなりません。中波赤外線ヒーターは優れた温度均一性を持ちますが、ヒーターのサイズやチャックの形状にも合わせて調整が必要です。
また、薄膜の種類に応じて放射率を調整するための短期的な調整が必要です。一度設定が完了すれば、プロセスは安定し、メンテナンスも最小限に抑えられます。