Wafle on Warm IR Gold Coating Heaters

Žhavicí prvek pro oxidaci waferu

Sun, 05 Jul 2026 06:22:50 +0800

Úvod

Oxidace polovodičových desek představuje extrémně náročné prostředí. Potřebujete topný prvek, který dokáže snášet vysoké teploty den co den – bez jakýchkoliv problémů. Žádné selhání, žádné vzdání se.
Proto jsme vyvinuli naše topné lampy tak, aby mohly fungovat v tomto prostředí. Používáme špičkový křemenný materiál a vysokopečný wolfram. Materiály, na které můžete spolehnout. Výsledkem je lampa, která funguje stále, místo aby se rychle opotřebovala.

Technické detaily

V oxidizační peci má topný prvek opravdu těžkou práci. Musí rychle dosáhnout požadované teploty a poté ji udržet. Bez neustálých změn teploty.
Náš design je postaven na této realitě. Jde o to dosáhnout stabilní teplotní situace, i když pec pracuje hodiny v kuse.
Křemenná obalová vrstva si zachovává svůj tvar i při velkých změnách teploty. Uvnitř wolframový prvek odolává opotřebení, které způsobuje vznik „horkých míst“. Spolu poskytují spolehlivé teplo v každém cyklu.

Velkoobchodní lampa na sušení destiček

Fri, 26 Jun 2026 01:49:11 +0800

V provozu – v okamžiku, kdy čip vyjde z finálního oplachování – začíná běžet čas. Jakákoli zdržka při sušení může vést ke kolapsu struktury čipu, vzniku hrudek na okrajích a částic, které poté půjdou spolu s čipem přímo do procesů litografie a leptání. Naše lampy na sušení čipů jsou navrženy tak, aby eliminovaly tyto nepřesnosti. Zajišťují spolehlivou regulaci teploty právě v místě, kde probíhá sušení, takže profil fotorezistoru zůstává v požadovaných mezích, za každé směny.

To je to, na čem skutečně záleží. Používáme zdroje krátkovlnného a střednovlnného infračerveného záření umístěné v křemíkových obalech – ty jsou přizpůsobeny způsobu absorpce vody a rozpouštědel fotorezistorů. Rozložení teploty po celém povrchu čipu je přesné na úroveň ±0,1 °C, a teplotní hodnoty zůstávají stabilní během celého procesu sušení. Kompatibilita s čisticími prostorami třídy 1–100 není dodatečnou vlastností – je integrována do konstrukce díky materiálům s nízkým uvolňováním plynů, hermeticky uzavřeným obalům a proudění vzduchu s kladným tlakem, což snižuje tvorbu částic. Výkon lampy zůstává stabilní po dobu více než 5 000 hodin, s odchylkou intenzity menší než 5 %. Integrované rutiny kalibrace a bezpečnostní mechanismy zajistí, že každý proces proběhne v rámci stanovených teplotních mezí. Konstrukce lampy a reflektoru také snižuje spotřebu energie.

Zahřívač na zpracování destiček safíru

Tue, 23 Jun 2026 13:26:27 +0800

Na lince máte 150mm velký destičku z safíru, která čeká na zpracování pomocí fotorezistentu. Zde platí pravidlo: už půl stupně teplotní odchylky stačí k tomu, aby došlo ke změně kritických rozměrů desky, a jediný částic může zničit celý proces. Ohřívač musí odpovídat požadavkům procesu – nemůže se snažit přizpůsobit proces ohřívači.

Co je vlastně důležité Tyto ohřívače pro destičky z safíru vyrábíme pomocí krátkovlnných halogenových kvartcových elementů a struktur s nízkou termickou hmotností. Díky tomu dosahujeme stabilní teploty během několika sekund a rovnoměrnosti teploty na úrovni ±0,1°C. Hodnoty teplot od 80°C do 300°C zůstávají stabilní v rozmezí ±0,5°C mezi jednotlivými cykly, takže proces zpracování fotorezistentu probíhá podle specifikací. Horká zóna je vhodná i pro použití v čistých prostorách třídy 1 – povrchové úpravy a materiály pomáhají snižovat počet částic a zabraňují uvolňování plynů. Hustota energie je přizpůsobena velikosti desky a jejím tepelným požadavkům. Celý systém je navržen pro 24/7 provoz bez přerušení.

Infračervený ohřívač střední vlny pro wafer

Mon, 22 Jun 2026 19:30:32 +0800

V prostředí výroby si víte, jak to chodí: posun teploty během procesu zahřívání o 0,5 °C může způsobit změny kritických rozměrů o několik nanometrů, což znamená ztrátu hodin práce při litografii. Ohřívače s středními vlnami infračerveného záření jsou navrženy tak, aby tento posun zabránily ještě předtím, než se projeví.

Co je opravdu důležité Ohřívače s středními vlnami infračerveného záření přenášejí energii přímo do fotorezistu a substrátu – rychlý nárůst teploty, kontrolované zahřívání. Udržujeme rovnoměrnost teploty na úrovni ±0,1 °C v celé oblasti zahřívání, přičemž stabilita teploty zůstává v rozmezí ±0,2 °C i za provozu. Emisivita je nastavena tak, aby fungovala pro křemík a běžné filmy – takže nedochází k nadměrnému zahřívání během procesu zahřívání.